集成无源器件（Integrated Passive Device，IPD）技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部，提高器件 Q 值及系统集成度。尤其是基于高阻硅 IPD 薄膜技术具有高精度、高集成度等特点，可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台，便于批量生产降低成本。尤为重要的是，高阻硅 IPD技术可与 TSV 技术兼容，实现无源器件包括电阻、电容、电感等器件集成在一个单独器件内，可实现器件三维叠层封装，在节省空间的同时，可以增加器件的功能性、并简化印刷电路板的设计。

因此，采用先进的无源元件集成基板结构设计集成电路技术是实现和满足集成电路的电子系统将朝着速度更快、功能更强大、多附加值、体积更小、和高密度集成的方向发展的重要途径。高阻硅 IPD 技术以高阻硅为衬底，采用薄膜技术制备嵌入式无源器件，使得衬底功能化，是下一代电子产品的重要发展趋势之一。

安徽芯淮电子有限公司采用半导体加工技术与电化学技术相结合，制备出基于硅、玻璃基板的薄膜 IPD 器件，能提供优良的器件精度和功能密度，并与三维通孔技术相结合，能够制作各种薄膜式电阻器、电容器和电感器及互连结构，以及完成无源元件之间的传输布线，可广泛应用于微波通讯、射频、高精度复合元件、高密度集成和大功率器件领域。

玻璃材料和陶瓷材料没有自由移动的电荷，介电性能优良，热膨胀系数与硅接近，以玻璃替代硅材料的玻璃通孔( Through Glass Via，TGV) 技术可以避免 TSV 绝缘性不良的问题，是理想的三维集成解决方案。玻璃通孔( TGV) 技术被认为是下一代三维集成的关键技术，该技术的核心为深孔形成工艺。此外，TGV 技术无需制作绝缘层，降低了工艺复杂度和加工成本。TGV 及相关技术在光通信、射频、微波、微机电系统、微流体器件和三维集成领域有广泛的应用前景。

安徽芯淮电子有限公司采用高精度微孔加工技术与复合电铸技术相结合，实现 TGV 转接板的高良率加工，解决在 TSV 三维封装中由于减薄工艺容易产生导通性、热膨胀系数不匹配和寄生电容大等方面的问题，可实现电子器件的高密度、小型化封装。